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中國科研團隊成功研制“破曉”皮秒閃存器件 實現(xiàn)亞1納秒閃存

  • 中國新聞網(wǎng)
  • 2025-04-17 17:20:05
在一眨眼的時間內(nèi),超級閃存已經(jīng)工作了10億次,而原來的U盤只能1000次。相當于光在走了12厘米的時間內(nèi),幾千個電子已經(jīng)儲存完畢。

記者17日獲悉,復(fù)旦大學(xué)周鵬/劉春森團隊成功研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件,擦寫速度達到亞1納秒(400皮秒),是人類目前掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲器件。

北京時間4月16日深夜,相關(guān)研究成果發(fā)表于國際頂尖期刊《自然》(Nature)。

從遠古時代的結(jié)繩記事開始,人類對信息存儲速度的追求從未止步。隨著科技不斷演進,電荷被證明是最佳存儲媒介,能夠以驚人的速度和卓越的可靠性承載海量數(shù)據(jù)。隨著人工智能(AI)時代的到來,計算范式正從傳統(tǒng)的邏輯運算逐漸轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)驅(qū)動的計算模式。信息存取速度直接決定了算力上限,亟需存儲技術(shù)的突破來實現(xiàn)變革。

據(jù)介紹,目前速度最快的存儲器均為易失性存儲器,斷電后數(shù)據(jù)丟失的特性限制了其在低功耗場景下的應(yīng)用,難以滿足AI計算對數(shù)據(jù)極高速存取的需求。

復(fù)旦大學(xué)周鵬/劉春森團隊構(gòu)建了準二維高斯模型,成功從理論上預(yù)測了超注入現(xiàn)象,并據(jù)此研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件,其性能超越同技術(shù)節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù);通過AI算法對工藝測試條件實現(xiàn)科學(xué)優(yōu)化,極大推動技術(shù)創(chuàng)新與落地。

據(jù)悉,中國專家團隊研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術(shù),不僅有望改變?nèi)虼鎯夹g(shù)格局,進而推動產(chǎn)業(yè)升級并催生全新應(yīng)用場景,還為中國在相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)提供強有力支撐。

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